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Questão 268

ITA 2014
Física

(ITA-2014)É muito comum a ocorrência de impurezas em cristais semicondutores. Em primeira aproximação, a energia de ionização dessas impurezas pode ser calculada num modelo semelhante ao do átomo de hidrogênio. Considere um semicondutor com uma impureza de carga +e atraindo um elétron de carga –e. Devido a interações com os átomos da rede cristalina, o elétron, no semicondutor, possui uma massa igual a mrm0, em que m0 é a massa de repouso do elétron e mr, uma constante adimensional. O conjunto impureza/elétron está imerso no meio semicondutor de permissividade relativa εr. A razão entre a energia de ionização desta impureza e a energia de ionização do átomo de hidrogênio é igual a

A

1.

B

mrr2.

C

εr2/mr.

D

mrr.

E

εr/mr.

Gabarito:

mrr2.



Resolução:

A energia de ionização do átomo de hidrogênio é:

(-frac{1}{4pi epsilon_0})^2 cdot frac{m_0e^4}{2hbar^2}

 

A energia no cristal terá a mesma cara, mas substituímos m_0 por m0*m_r, e e_0 por e_0*e_r:

(-frac{1}{4pi epsilon_0cdotepsilon _r})^2 cdot frac{m_0cdot m_r cdot e^4}{2hbar^2}

 

Quando fizer a razão entre as energias vai encontrar:

frac{m_r}{epsilon_r^2}

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